单 FET,MOSFET

结果 : 6
系列
-E
包装
卷带(TR)散装管件
功率耗散(最大值)
31W(Tc)78W(Tc)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKTO-220 整包TO-252AA
封装/外壳
TO-220-3 整包TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
D-PAK (TO-252AA)
SIHD7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Vishay Siliconix
138
现货
1 : ¥15.84000
散装
-
散装
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V7A(Tc)10V600 毫欧 @ 3.5A,10V4V @ 250µA40 nC @ 10 V±30V680 pF @ 100 V-78W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LM7812TP
SIHF7N60E-GE3
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥16.91000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V7A(Tc)10V600 毫欧 @ 3.5A,10V4V @ 250µA40 nC @ 10 V±30V680 pF @ 100 V-31W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220 整包TO-220-3 整包
LM7812TP
SIHF7N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥18.96000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V7A(Tc)10V600 毫欧 @ 3.5A,10V4V @ 250µA40 nC @ 10 V±30V680 pF @ 100 V-31W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220 整包TO-220-3 整包
TO-252
SIHD7N60ET4-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Vishay Siliconix
0
现货
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3,000 : ¥6.28573
卷带(TR)
卷带(TR)
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V7A(Tc)10V600 毫欧 @ 3.5A,10V4V @ 250µA40 nC @ 10 V±30V680 pF @ 100 V-78W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SIHD7N60ET5-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Vishay Siliconix
0
现货
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3,000 : ¥6.28573
卷带(TR)
卷带(TR)
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V7A(Tc)10V600 毫欧 @ 3.5A,10V4V @ 250µA40 nC @ 10 V±30V680 pF @ 100 V-78W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SIHD7N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Vishay Siliconix
0
现货
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3,000 : ¥7.14591
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V7A(Tc)10V600 毫欧 @ 3.5A,10V4V @ 250µA40 nC @ 10 V±30V680 pF @ 100 V-78W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。